Создание так называемой структуры SOI (Silicon-On-Isolator или кремний на изоляторе) заключается в нанесении тонкого слоя кремния на изолятор. Эта технология предполагает наличие скрытого оксидного слоя между верхним кремнием и нижней подложкой. Образуя полупроводниковую пленку на изоляторе, материал SOI обладает несравненными преимуществами объемного кремния: он может реализовать диэлектрическую изоляцию компонентов в интегральных схемах и, в конечном итоге, устранить паразитный эффект защелки в объемных кремниевых КМОП-схемах.
С использованием этого материала изготовленная интегральная схема также обладает преимуществами небольшой паразитной емкости, высокой плотности интеграции, высокой скорости, простоты, небольшого эффекта короткого канала и особенно подходит для цепей с низким напряжением и низким энергопотреблением. Таким образом, можно сказать, что SOI, скорее всего, станет основной технологией глубоких субмикронных низковольтных и маломощных интегральных схем. Кроме того, материалы SOI также используются для изготовления оптических переключателей МЭМС, например, с использованием технологии объемной микрообработки.








