цифровая электроника
вычислительная техника
встраиваемые системы

 
» » Каковы тенденции развития технологии памяти в 2021 году


Каковы тенденции развития технологии памяти в 2021 году

Автор: Mike(admin) от 3-05-2021, 23:05

Несмотря на то, что производство микросхем перегружено, а цепочка поставок электроники испытывает не самые лучшие времена, производители микросхем и исследователи все еще усердно работают над улучшением технологии памяти для увеличения вычислительного потенциала.


Каковы тенденции развития технологии памяти в 2021 году

В компьютерных технологиях возникает три проблемы: требования к пропускной способности, продолжающаяся нехватка полупроводников и, наконец, закат закона Мура. Если искусственный интеллект и машинное обучение будут развиваться в условиях постпандемийного удаленного образа жизни, память будет иметь ключевое значение. Но за последние несколько лет технология памяти претерпела лишь итерационные улучшения, за исключением очень немногих революционных технологических событий, таких как разработка DRAM (1966), SRAM (1969) и NAND (1980).


Одной из непосредственных проблем памяти является потенциально серьезная нехватка DRAM, которая, по словам Micron Technology, может усугубиться по мере продвижения к 2021 году. Это связано с растущими потребностями центров обработки данных и засушливыми условиями, влияющими на тайваньские фабрики. Этот дефицит распространяется на всю отрасль, влияя на рабочие места отдельных людей, поскольку компании стремятся получить микросхемы из сокращающихся поставок.


Несмотря на эту нехватку, лидеры технологий памяти пообещали улучшения на аппаратном уровне в DRAM и NAND. В частности, SK Hynix недавно раскрыла свои планы в отношении технологий DRAM и NAND в своем основном докладе на симпозиуме IEEE IRPS. Там генеральный директор Сок-Хи Ли обсудил важность технологий памяти для развития ИКТ и устойчивого развития планеты.


Каковы тенденции развития технологии памяти в 2021 году

Кроме того, Ли выделил некоторые инициативы на технологическом уровне, которые его компания наметила на этот год. Что касается DRAM, SK Hynix сосредоточится на решении проблем литографии, поддержании емкости конденсаторов ячеек и уменьшении сопротивления металла межсоединений. Для NAND компания намерена обеспечить как технологию травления контактов с высоким соотношением сторон (HARC), так и диэлектрические характеристики ячеек, одновременно находя решение проблем, связанных с напряжением пленки.


Архитектуры памяти, такие как SRAM, DRAM и NAND, представляют собой компромисс между такими параметрами, как плотность, скорость, изменчивость и долговечность (время жизни цикла чтения/записи). Магнитное ОЗУ с передачей крутящего момента (STT-MRAM) потенциально может изменить правила игры, над чем IBM работает уже несколько десятилетий.


Каковы тенденции развития технологии памяти в 2021 году

Решение проблем, связанных с MRAM, означает преодоление этих четырех параметров для создания новой архитектуры, конкурирующей с существующими технологиями, при одновременном снижении энергопотребления на 50%. По мнению аналитиков Forbes, 2021 год может стать годом прорыва IBM в области MRAM.


Продолжая следовать траектории 2020 года, DDR5, похоже, будет продолжать расти в этом году. Недавно Samsung представила массивный модуль DDR5 объемом 512 ГБ, предназначенный для приложений искусственного интеллекта и суперкомпьютеров. SK Hynix и Micron также выделили ресурсы DDR5 для защиты автомобильной памяти. Между тем, Infineon удвоила объем энергонезависимой статической ОЗУ (NVRAM), выпустив устройство второго поколения с автоматическим сохранением данных в течение 20 лет в случае отключения электроэнергии.




© digitrode.ru


Теги: память




Уважаемый посетитель, Вы зашли на сайт как незарегистрированный пользователь.
Мы рекомендуем Вам зарегистрироваться либо войти на сайт под своим именем.

Комментарии:

Оставить комментарий