цифровая электроника
вычислительная техника
встраиваемые системы

 
» » Samsung представила новый модуль DDR5 с технологией HKMG для ИИ и суперкомпьютеров


Samsung представила новый модуль DDR5 с технологией HKMG для ИИ и суперкомпьютеров

Автор: Mike(admin) от 19-04-2021, 15:05

Недавно Samsung представила так называемый первый в отрасли модуль DDR5 на 512 ГБ. Эта память DDR5 построена на основе технологического процесса с металлическим затвором (HKMG) с высокой диэлектрической проницаемостью (k), который предназначен для рабочих нагрузок с интенсивным использованием данных в приложениях искусственного интеллекта (ИИ), суперкомпьютеров и машинного обучения (МО).


Samsung представила новый модуль DDR5 с технологией HKMG для ИИ и суперкомпьютеров

С 2010 года Samsung использует процесс HKMG для разработки полупроводников на основе логики, чтобы уменьшить рассеяние энергии и мощности в ресурсоемких экземплярах для мобильных устройств. В 2014 году Samsung начала создание портфеля динамической оперативной памяти (DRAM), создав серверные модули емкостью 256 ГБ. В конце концов, индустрии DRAM потребовались микросхемы меньшего размера, которые требовали меньшего количества материалов для достижения желаемых проектных характеристик. Новый модуль Samsung DDR5 high-k представляет собой накопленный опыт исследований в области обработки HKMG и DRAM.


Если полупроводниковые технологии будут соответствовать закону Мура, транзисторы должны будут сжиматься, сохраняя при этом высокий управляющий ток и высокую коммутационную способность. В какой-то момент производство может остановиться со стандартным техпроцессом CMOS (КМОП). Производство CMOS-структур имеет повторяющееся препятствие в развитии DRAM: емкость. При усадке транзисторов также необходимо уменьшить толщину оксида затвора. Однако уменьшение толщины этих материалов и слоев приводит к увеличению тока утечки затвора.


Samsung представила новый модуль DDR5 с технологией HKMG для ИИ и суперкомпьютеров

Чтобы проблемы с емкостью не превратились в проблемы с конструкцией, Samsung стремилась к стабильности материалов, особенно в 1-2 материалах с высокой диэлектрической проницаемостью, чтобы создать микросхемы с низким энергопотреблением для DRAM.


Два пути проектирования могут помочь производителям отказаться от изготовления стандартных КМОП. Первый путь использования процесса HKMG – это подход «сначала затвор». Этот подход «сначала затвор» включает в себя схему интеграции, которая вводит материал с высокой диэлектрической проницаемостью в стандартный технологический процесс CMOS.


Вторая схема интеграции называется «затвор последний». При подходе «последний затвор» диэлектрический слой помещается перед обработкой затвора. Такое размещение выгодно для производителей, поскольку оно включает в себя низкотемпературный процесс, который не требует высокой термической активности, что будет рентабельным в процессе изготовления. Еще одним преимуществом схемы «последний затвор» является то, что ее легче встроить в традиционное производство КМОП.


В модуле Samsung DDR5 используется восьмиуровневая технология сквозного полупроводникового транзистора (TSV). Компания заявляет, что ее материал HKMG снижает энергопотребление на 13% и удваивает скорость технологии DDR4, предлагая 7200 Мбит/с.


Samsung представила новый модуль DDR5 с технологией HKMG для ИИ и суперкомпьютеров

Модуль DDR5 состоит из 32 микросхем по 16 ГБ, созданных по 10-нм техпроцессу, что позволяет флеш-памяти использовать преимущества высокой металлической функциональности технологии HKMG. Янг-Су Сон, вице-президент Samsung по планированию памяти DRAM, утверждает, что Samsung - единственная компания, производящая полупроводники, обладающая возможностями логики и памяти для включения логической технологии HKMG в разработку памяти.


Благодаря обширному портфелю DRAM от Samsung другие крупные игроки, такие как Intel, могут тесно сотрудничать с Samsung для увеличения рынка устройств на базе DDR5.




© digitrode.ru


Теги: память




Уважаемый посетитель, Вы зашли на сайт как незарегистрированный пользователь.
Мы рекомендуем Вам зарегистрироваться либо войти на сайт под своим именем.

Комментарии:

Оставить комментарий