цифровая электроника
вычислительная техника
встраиваемые системы

 
» » Память с произвольной выборкой DRAM



Память с произвольной выборкой DRAM

Автор: Mike(admin) от 19-03-2019, 05:55

Фарад - это очень большая единица измерения. Память DRAM можно значительно уплотнить: каждая ячейка состоит из конденсатора и одного транзистора доступа. В отличие от SRAM, ячейка памяти DRAM очень чувствительна к любым возбуждениям.


Различные источники тока утечки вызывают разрядку ячейки DRAM в течение порядка 10-100 мс. К счастью, для компьютеров, работающих по циклам синхронизации, измеряемых в нс, такое время задержки довольно значительно. Система памяти должна периодически обновлять каждый бит памяти путем его считывания и перезаписи. В некоторых системах также применяются коды с исправлениями ошибок, когда в компьютерные слова добавляется несколько дополнительных битов так, что схема может выявить и исправить любой одиночный ошибочный бит в рамках слова.


Выход расширенных данных DRAM. Расширенная форма FPM DRAM, позволяющая сближать отдельные сигналы CAS во времени.


Синхронная DRAM. Традиционная, FPM и EDO DRAM - асинхронны в том смысле, что они взаимодействуют с контроллером памяти через набор явных управляющих сигналов. SDRAM замещает многие из этих управляющих сигналов нарастающими фронтами того же внешнего синхронизирующего сигнала, что приводит в действие контроллер памяти. Не вдаваясь в детали, можно сказать, что чистым эффектом станет выдача SDRAM содержимого суперячеек с большей скоростью, чем ее асинхронные эквиваленты.


Синхронная DRAM с удвоенной скоростью обработки данных. ВВК DRAM - это усовершенствованная SDRAM, удваивающая скорость DRAM использованием в качестве управляющих сигналов обоих фронтов синхроимпульса.


Rambus DRAM. Это альтернативная патентованная технология с более высокой максимальной полосой пропускания, чем у DDR SDRAM.


Video RAM. Применяется в кадровых буферах графических систем. По духу VRAM близка к FPM DRAM. Два основных различия: выходные данные VRAM создаются сдвигом всего содержимого внутреннего буфера в последовательность, и VRAM обеспечивает параллельные считывание и запись в память. Таким образом, система может раскрашивать экран пикселами в кадровом буфере с параллельной записью новых значений для следующего обновления.




© digitrode.ru


Теги: память




Уважаемый посетитель, Вы зашли на сайт как незарегистрированный пользователь.
Мы рекомендуем Вам зарегистрироваться либо войти на сайт под своим именем.

Комментарии:

Оставить комментарий