цифровая электроника
вычислительная техника
встраиваемые системы

 



Преимущества нитрид-галлиевых полупроводниковых устройств по сравнению с кремниевыми устройствами

Автор: Mike(admin) от 1-06-2023, 23:55

В настоящее время, кремниевые полупроводники являются основой для многих электронных устройств, но в последние годы наблюдается растущий интерес к использованию нитрид-галлиевых (GaN) полупроводников. Нитрид-галлиевые полупроводники имеют низкое сопротивление и высокую скорость переключения, что делает их привлекательным выбором для быстродействующих электронных устройств. В данной статье мы рассмотрим преимущества нитрид-галлиевых полупроводниковых устройств по сравнению с кремниевыми.


Преимущества нитрид-галлиевых полупроводниковых устройств по сравнению с кремниевыми устройствами

Почему нитрид-галлиевые (GaN) транзисторы могут стать отличным вариантом для аудио оборудования

Автор: Mike(admin) от 7-12-2021, 23:55

Полевые транзисторы из нитрида галлия (GaN) становятся широко предпочтительными во многих продуктах, от маломощных и недорогих приложений, таких как зарядные устройства, до мощных автомобильных приложений. В основном инженеры впечатляются повышенной эффективностью и удельной мощностью, которую обеспечивает нитрид галлия, что приводит к появлению устройств, которые обладают большей мощностью, чем их кремниевые аналоги.


Почему нитрид-галлиевые (GaN) транзисторы могут стать отличным вариантом для аудио оборудования

Что такое технология GaN для создания силовых компонентов

Автор: Mike(admin) от 18-12-2017, 20:25

Нитрид-галлиевые транзисторы стали высокоэффективной альтернативой кремниевым транзисторам, благодаря способности технологии обеспечить меньшие размеры устройства при заданном сопротивлении включениям и напряжении пробоя, чем у кремния.


Нитрид-галлиевый GaN транзистор

Энергетическая эволюция полупроводников началась с устройств на основе германия и кремния, которые начали появляться в 1950-х годах. Более широкое использование кремния обусловлено его улучшенными физическими свойствами в сочетании с большими инвестициями в производственную инфраструктуру и технику. Однако кремниевые силовые МОП-транзисторы не поспевают за эволюционными изменениями в силовой электронике.