В настоящее время, кремниевые полупроводники являются основой для многих электронных устройств, но в последние годы наблюдается растущий интерес к использованию нитрид-галлиевых (GaN) полупроводников. Нитрид-галлиевые полупроводники имеют низкое сопротивление и высокую скорость переключения, что делает их привлекательным выбором для быстродействующих электронных устройств. В данной статье мы рассмотрим преимущества нитрид-галлиевых полупроводниковых устройств по сравнению с кремниевыми.
