Полевые транзисторы из нитрида галлия (GaN) становятся широко предпочтительными во многих продуктах, от маломощных и недорогих приложений, таких как зарядные устройства, до мощных автомобильных приложений. В основном инженеры впечатляются повышенной эффективностью и удельной мощностью, которую обеспечивает нитрид галлия, что приводит к появлению устройств, которые обладают большей мощностью, чем их кремниевые аналоги.
