цифровая электроника
вычислительная техника
встраиваемые системы

 
» » Выбор между 2D и 3D материалами для начала коммерциализации полупроводников следующего поколения

Выбор между 2D и 3D материалами для начала коммерциализации полупроводников следующего поколения

Автор: Mike(admin) от 25-07-2020, 03:35

Исследователи из Университета науки и технологий Пхохана (POSTECH) используют свойство резистивного переключения в галогенидных перовскитных материалах для разработки основы для нового типа быстрой, маломощной, энергонезависимой памяти.


Выбор между 2D и 3D материалами для начала коммерциализации полупроводников следующего поколения

Галогенидные перовскитные материалы обладают свойством резистивного переключения, что означает, что при приложении напряжения сопротивление вещества будет меняться. Изменение происходит быстро, оно требует мало энергии, и, что наиболее важно, значение сопротивления не меняется до тех пор, пока оно не достигнет противоположного импульса. Это свойство потенциально может быть основано на новом типе резистивной оперативной памяти или ReRAM.


Резистивная оперативная память (ReRAM) – это тип энергонезависимой памяти. В отличие от полупроводниковой памяти, ReRAM записывают единицы и нули по изменениям сопротивления. Значение сопротивления, которое считывается через клеммы устройства, изменяется от низкого к высокому или от высокого к низкому в зависимости от приложенного напряжения; в отсутствие другого импульса напряжения сопротивление и, следовательно, одно или нулевое состояние устройства не изменяются, следовательно, энергонезависимость компонента.


Ученые-материаловеды в последнее время проявляют большой интерес к перовскитам, и мы недавно сообщали об их потенциальном использовании для хранения энергии. Однако технология использования материала в памяти затрудняется его плохой стабильностью при воздействии атмосферы. Ученые стремились преодолеть плохую стабильность путем поиска более оптимального типа галоидного материала перовскита.


Команда использовала вычисления первых принципов, метод, основанный на квантовой механике, чтобы определить наиболее вероятного материального кандидата. Результаты предсказали, что CsPb2Br5, неорганический перовскит с двумерной слоистой структурой, станет сильным соперником. Двумерный CsPb2Br5 был синтезирован командой и сравнивался с трехмерной структурой CsPbBr3. 3D материал потерял свои характеристики памяти при температуре выше 100 °C.


Тем не менее, 2D слоистая структура CsPb2Br5 сохранила свои характеристики памяти при температуре выше 140 ° C. Кроме того, материал 2D можно эксплуатировать при напряжениях ниже одного вольт, что является важным открытием, учитывая постоянную тенденцию к снижению рабочих напряжений в современных электронных системах.


Как отмечают следователи, «загрузка 30-минутного видеоклипа занимает всего несколько секунд, и вы можете посмотреть шоу в течение 15 минут после его выхода в эфир». Таким образом, в мире существует бесконечный поиск стабильной компьютерной памяти. Существует множество мобильных, носимых и удаленных IoT-устройств. Низкое энергопотребление является основным критерием проектирования этих устройств, и давайте не будем забывать об уникальных требованиях к питанию ненасытно голодных серверов всех типов по всему миру. Следует надеяться, что устройства, основанные на двухмерных перовскитах, будут представлять собой жизнеспособный путь вперед в энергосберегающей, высоконадежной, энергонезависимой памяти.




© digitrode.ru




Уважаемый посетитель, Вы зашли на сайт как незарегистрированный пользователь.
Мы рекомендуем Вам зарегистрироваться либо войти на сайт под своим именем.

Комментарии:

Оставить комментарий