Digitrode

Полевые транзисторы с изолированным затвором на основе кремния (MOSFET) с 1960-х годов являются стандартом в силовой электронике. Однако развитие различных технологий - особенно в автомобильной и потребительской электронике — создало новые вызовы для разработчиков, стремящихся обеспечить более высокую эффективность и большую плотность мощности при всё более компактных форм-факторах. Источники питания — от крупных дата-центров и сетевых адаптеров до автомобильных зарядных станций — требуют высоких напряжений при минимальном занимаемом месте на плате. Беспилотные автомобили также нуждаются в более эффективном распределении энергии для питания множества камер и датчиков, используемых для навигации и обнаружения препятствий. И хотя потенциал кремниевых полупроводников в высоконагруженных применениях практически исчерпан, транзисторы на основе нитрида галлия (GaN) становятся всё более предпочтительным решением для подобных задач.

В рамках данного материала мы покажем, как создать понижающий стабилизатор напряжения (регулятор напряжения) с использованием транзистора BC547 и схемы резисторного делителя напряжения. Полученный нами стабилизатор напряжения сможет понизить напряжение с более высокого входного напряжения до стабильного более низкого выходного напряжения, что является востребованным во многих проектах электроники.

Зачастую при разработке электроники с автономным (батарейным) питанием возникает задача минимизации энергопотребления. Одним из способов решения данной задачи является отключение микроконтроллера и/или периферии. В данном материале мы рассмотрим реализацию данного метода с использованием модуля полевого МОП-транзистора MEM2313 для минимизации энергопотребления проектов на основе платы Lolin D32 с ESP32.

В приложениях для обнаружения и измерения освещенности чаще всего используются фотодиоды. Но нельзя обойти стороной тот факт, что фотодиоды производят очень малые выходные токи, и это может привести к проблемам при проектировании, которых вы, возможно, в определенных ситуациях предпочтете избежать.

Для того, чтобы иметь информацию об альтернативах данному непростому решению, в этой статье будет представлена основная информация о другом типе светочувствительных устройств, которые производят более высокий выходной ток, чем фотодиоды: фототранзисторы.

Подделка и контрафакт, по оценкам, обходится индустрии микроэлектроники более чем в 7,5 миллиардов долларов ежегодно. Помимо финансовых последствий, подделка отрицательно влияет на системы, в которых интегрируются скомпрометированные компоненты.

Кремний долгое время был основным полупроводником для транзисторов и компьютерных микросхем. Но это господство не может длиться вечно. Это особенно верно, поскольку инженеры стараются вложить больше мощности в меньшие и более плотно упакованные транзисторы.

Теперь исследователи Массачусетского технологического института обнаружили, что сплав, известный как арсенид индия-галлия (InGaAs), может быть ключом к открытию более мелких и более эффективных транзисторов. Ранее исследователи полагали, что характеристики транзисторов InGaAs ухудшаются в небольших масштабах, необходимых для приложений микросхем, но новое исследование MIT показывает, что это ухудшение не является неотъемлемым свойством самого материала.

В исследовании, опубликованном в журнале Nature в середине октября, исследователи из Лос-Аламосской национальной лаборатории и Калифорнийского университета в Ирвине объясняют, как технология квантовых точек дает возможность объединить преимущества хорошо изученных неорганических полупроводников с химической технологичностью молекулярных систем, представляя функциональную схему КМОП (CMOS).

По словам исследователей, это нововведение обещает более дешевый и удобный в производстве подход к сложным электронным устройствам, которые могут быть изготовлены с помощью простых технологий, основанных на решениях. Но что такое квантовые точки и что делает это исследование значимым?

. Традиционные полевые МОП-транзисторы (MOSFET) являются фундаментальным строительным блоком почти всей современной электроники, но они далеки от совершенства. Во-первых, это нелинейные устройства, усложняющие дизайн и анализ. Кроме того, в этих транзисторах цифровые и аналоговые операции устройства управляются приложенным напряжением на электроде затвора.

Металлооксидные полупроводниковые полевые транзисторы (МОП-транзисторы) являются обычно используемыми компонентами во всех видах электронных устройств, однако они особенно распространены в автомобильном секторе, где они являются важнейшим компонентом, используемым для чрезвычайно быстрого включения и выключения мощной электроники.

Теперь инженеры в Университете Буффало стремятся сделать МОП-транзисторы еще мощнее, переведя их на оксид галлия, что позволило команде решить задачу работы с чрезвычайно высокими напряжениями свыше 8000 В.

Тема транзисторов – довольно обширная. И охватить ее полноценно в одной статье сложно.

Транзисторы являются радиоэлектронным элементами, изготавливают их из полупроводниковых материалов. Они применяются для управления током в электроцепи. С помощью этих устройств возможно преобразовать, усилить, генерировать электрические сигналы. Применение они нашли в электронных ключах, усилительных схемах, генераторах сигналов.