В рамках данного материала мы покажем, как создать понижающий стабилизатор напряжения (регулятор напряжения) с использованием транзистора BC547 и схемы резисторного делителя напряжения. Полученный нами стабилизатор напряжения сможет понизить напряжение с более высокого входного напряжения до стабильного более низкого выходного напряжения, что является востребованным во многих проектах электроники.
Зачастую при разработке электроники с автономным (батарейным) питанием возникает задача минимизации энергопотребления. Одним из способов решения данной задачи является отключение микроконтроллера и/или периферии. В данном материале мы рассмотрим реализацию данного метода с использованием модуля полевого МОП-транзистора MEM2313 для минимизации энергопотребления проектов на основе платы Lolin D32 с ESP32.
В приложениях для обнаружения и измерения освещенности чаще всего используются фотодиоды. Но нельзя обойти стороной тот факт, что фотодиоды производят очень малые выходные токи, и это может привести к проблемам при проектировании, которых вы, возможно, в определенных ситуациях предпочтете избежать.
Для того, чтобы иметь информацию об альтернативах данному непростому решению, в этой статье будет представлена основная информация о другом типе светочувствительных устройств, которые производят более высокий выходной ток, чем фотодиоды: фототранзисторы.
Подделка и контрафакт, по оценкам, обходится индустрии микроэлектроники более чем в 7,5 миллиардов долларов ежегодно. Помимо финансовых последствий, подделка отрицательно влияет на системы, в которых интегрируются скомпрометированные компоненты.
Кремний долгое время был основным полупроводником для транзисторов и компьютерных микросхем. Но это господство не может длиться вечно. Это особенно верно, поскольку инженеры стараются вложить больше мощности в меньшие и более плотно упакованные транзисторы.
Теперь исследователи Массачусетского технологического института обнаружили, что сплав, известный как арсенид индия-галлия (InGaAs), может быть ключом к открытию более мелких и более эффективных транзисторов. Ранее исследователи полагали, что характеристики транзисторов InGaAs ухудшаются в небольших масштабах, необходимых для приложений микросхем, но новое исследование MIT показывает, что это ухудшение не является неотъемлемым свойством самого материала.
В исследовании, опубликованном в журнале Nature в середине октября, исследователи из Лос-Аламосской национальной лаборатории и Калифорнийского университета в Ирвине объясняют, как технология квантовых точек дает возможность объединить преимущества хорошо изученных неорганических полупроводников с химической технологичностью молекулярных систем, представляя функциональную схему КМОП (CMOS).
По словам исследователей, это нововведение обещает более дешевый и удобный в производстве подход к сложным электронным устройствам, которые могут быть изготовлены с помощью простых технологий, основанных на решениях. Но что такое квантовые точки и что делает это исследование значимым?
. Традиционные полевые МОП-транзисторы (MOSFET) являются фундаментальным строительным блоком почти всей современной электроники, но они далеки от совершенства. Во-первых, это нелинейные устройства, усложняющие дизайн и анализ. Кроме того, в этих транзисторах цифровые и аналоговые операции устройства управляются приложенным напряжением на электроде затвора.
Металлооксидные полупроводниковые полевые транзисторы (МОП-транзисторы) являются обычно используемыми компонентами во всех видах электронных устройств, однако они особенно распространены в автомобильном секторе, где они являются важнейшим компонентом, используемым для чрезвычайно быстрого включения и выключения мощной электроники.
Теперь инженеры в Университете Буффало стремятся сделать МОП-транзисторы еще мощнее, переведя их на оксид галлия, что позволило команде решить задачу работы с чрезвычайно высокими напряжениями свыше 8000 В.
Тема транзисторов – довольно обширная. И охватить ее полноценно в одной статье сложно.
Транзисторы являются радиоэлектронным элементами, изготавливают их из полупроводниковых материалов. Они применяются для управления током в электроцепи. С помощью этих устройств возможно преобразовать, усилить, генерировать электрические сигналы. Применение они нашли в электронных ключах, усилительных схемах, генераторах сигналов.
Нитрид-галлиевые транзисторы стали высокоэффективной альтернативой кремниевым транзисторам, благодаря способности технологии обеспечить меньшие размеры устройства при заданном сопротивлении включениям и напряжении пробоя, чем у кремния.
Энергетическая эволюция полупроводников началась с устройств на основе германия и кремния, которые начали появляться в 1950-х годах. Более широкое использование кремния обусловлено его улучшенными физическими свойствами в сочетании с большими инвестициями в производственную инфраструктуру и технику. Однако кремниевые силовые МОП-транзисторы не поспевают за эволюционными изменениями в силовой электронике.