цифровая электроника
вычислительная техника
встраиваемые системы

 

Что такое технология GaN для создания силовых компонентов

Автор: Mike(admin) от 18-12-2017, 20:25

Нитрид-галлиевые транзисторы стали высокоэффективной альтернативой кремниевым транзисторам, благодаря способности технологии обеспечить меньшие размеры устройства при заданном сопротивлении включениям и напряжении пробоя, чем у кремния.


Нитрид-галлиевый GaN транзистор

Энергетическая эволюция полупроводников началась с устройств на основе германия и кремния, которые начали появляться в 1950-х годах. Более широкое использование кремния обусловлено его улучшенными физическими свойствами в сочетании с большими инвестициями в производственную инфраструктуру и технику. Однако кремниевые силовые МОП-транзисторы не поспевают за эволюционными изменениями в силовой электронике.

Ученые создали одноатомный транзистор

Автор: Mike(admin) от 14-02-2017, 17:57

Физики из австралийского Университета Нового Южного Уэльса (UNSW) создали рабочий транзистор, состоящий из одного атома, помещенного в кристалл кремния.


Это крошечное электронное устройство использует в качестве своего активного компонента отдельный атом фосфора, находящийся между электродами и электростатическими управляющими затворами.