Полевые транзисторы с изолированным затвором на основе кремния (MOSFET) с 1960-х годов являются стандартом в силовой электронике. Однако развитие различных технологий - особенно в автомобильной и потребительской электронике — создало новые вызовы для разработчиков, стремящихся обеспечить более высокую эффективность и большую плотность мощности при всё более компактных форм-факторах. Источники питания — от крупных дата-центров и сетевых адаптеров до автомобильных зарядных станций — требуют высоких напряжений при минимальном занимаемом месте на плате. Беспилотные автомобили также нуждаются в более эффективном распределении энергии для питания множества камер и датчиков, используемых для навигации и обнаружения препятствий. И хотя потенциал кремниевых полупроводников в высоконагруженных применениях практически исчерпан, транзисторы на основе нитрида галлия (GaN) становятся всё более предпочтительным решением для подобных задач.
