Исследователи из Университета науки и технологий Пхохана (POSTECH) используют свойство резистивного переключения в галогенидных перовскитных материалах для разработки основы для нового типа быстрой, маломощной, энергонезависимой памяти.

Галогенидные перовскитные материалы обладают свойством резистивного переключения, что означает, что при приложении напряжения сопротивление вещества будет меняться. Изменение происходит быстро, оно требует мало энергии, и, что наиболее важно, значение сопротивления не меняется до тех пор, пока оно не достигнет противоположного импульса. Это свойство потенциально может быть основано на новом типе резистивной оперативной памяти или ReRAM.








