Группа исследователей из Университета Бар-Илан в Израиле утверждают, что нашли способ стабилизировать и контролировать «экспоненциальное число дискретных магнитных состояний», которое, как они надеются, проложит путь к многоуровневой магнитной памяти, которая в свою очередь потенциально приведет к инновациям для приложений в области хранения данных, магнитного зондирования и нейроморфных вычислений.
В журнале Applied Physics Letters исследователи описывают свой метод, который позволил им изготовить структуры, состоящие из двух, трех и четырех пересекающихся эллипсов, которые демонстрируют индуцированную формой двухосную, трехосную и квадроаксиальную магнитную анизотропию. В документе говорится, что очень большое количество доступных магнитных состояний, наблюдаемых в простых магнитных структурах, может привести к появлению новых приложений для спинтроники, включая запоминающие устройства.
Исследование было сосредоточено на магнитных тонких пленках, которые были выровнены в виде N пересекающихся эллипсов, обладающих двумя степенями 2N состояний намагниченности. В ходе исследования исследовательская группа обнаружила, что они могут переключаться между различными магнитными состояниями, генерируя разные спиновые токи. Методом проб и ошибок они обнаружили, как стабилизировать и контролировать экспоненциальное число дискретных магнитных состояний в относительно простой структуре. Это, по мнению исследователей, является важным шагом вперед в области спинтроники.
Появляющаяся область спинтроники концентрируется на собственном спине электрона и связанном с ним магнитном моменте, в дополнение к его электронному заряду, в твердотельных устройствах. Он считается одной из наиболее важных новых областей исследований благодаря своей способности обеспечивать высокоскоростные электронные устройства логики и памяти с низкой плотностью и высокой плотностью.
Устройства спинтроники обычно состоят из магнитных элементов, которыми управляют поляризованные по току токи между стабильными магнитными состояниями. Когда они используются для хранения данных, число стабильных состояний данных устанавливает ограничение на объем памяти. Если исследователи смогут увеличить количество магнитных состояний в ячейке магнитной памяти – в настоящее время существует два магнитных состояния, соответствующих двум состояниям памяти – это потенциально увеличит плотность памяти и приведет к новым типам решений для памяти.
© digitrode.ru