Международная исследовательская группа во главе с учеными из Национального института науки и технологий Ульсана в партнерстве с исследователями из Кембриджского университета и Каталонского института нанонауки и нанотехнологий утверждают, что обнаружили новый материал, который может способствовать дальнейшим инновациям в области миниатюризации электронных устройств.
Этот новый материал получен в результате совместного исследования, в ходе которого исследовательская группа успешно продемонстрировала синтез тонких пленок аморфного нитрида бора (a-BN), которые характеризовались чрезвычайно низкой диэлектрической проницаемостью, высоким напряжением пробоя и превосходными свойствами металлического элемента.