IGCT (Integrated Gate Commutated Thyristor) — это силовой полупроводниковый прибор, представляющий собой гибрид традиционного тиристора (GTO) и IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor). Этот прибор был разработан для использования в высоковольтных и высокомощных приложениях, таких как промышленные приводы, энергетические преобразователи и системы передачи энергии постоянного тока (HVDC). IGCT сочетает в себе надежность тиристоров и быстродействие транзисторов, обеспечивая высокую эффективность работы с большими токами и напряжениями.
