цифровая электроника
вычислительная техника
встраиваемые системы

 
» » Защита от короткого замыкания на основе MOSFET-транзистора

Защита от короткого замыкания на основе MOSFET-транзистора

Автор: Mike(admin) от 3-11-2013, 14:47

Если у вас имеется устройство, в котором для переключения нагрузки применяется полевой транзистор (MOSFET), то вы можете без труда добавить в такое устройство защиту от короткого замыкания или защиту от перегрузки. В данном случае мы будем использовать внутреннее сопротивление RSD, на котором образуется падение напряжения, пропорциональное току, протекающему через MOSFET.


Защита от короткого замыкания на основе MOSFET

Напряжение, протекающее через внутренний резистор, может регистрироваться с помощью простого компаратора или даже транзистора, переключающегося при напряжении около 0.5 В. Таким образом, можно не использовать токочувствительный резистор (шунт), на котором обычно образуется нежелательное дополнительное напряжение. За компаратором можно следить с помощью микроконтроллера. В случае перегрузки программное обеспечение может предпринять соответствующие контрмеры (ШИМ-регулирование, сигнализация, аварийная остановка). Возможно также подключение выхода компаратора непосредственно к базе полевого транзистора, если при возникновении короткого замыкания нужно сразу же отключить транзистор.




Перевод © digitrode.ru


<Источник>


Теги: MOSFET




Уважаемый посетитель, Вы зашли на сайт как незарегистрированный пользователь.
Мы рекомендуем Вам зарегистрироваться либо войти на сайт под своим именем.

Комментарии:

Оставить комментарий