Диод Ганна – это пассивный полупроводниковый прибор с двумя выводами, который состоит только из полупроводникового материала с примесью n-типа, в отличие от других диодов, которые содержат p-n-переход. Диоды Ганна могут быть изготовлены из материалов, которые состоят из множества изначально пустых близкорасположенных энергетических областей в зоне проводимости, таких как арсенид галлия (GaAs), фосфид индия (InP), нитрид галлия (GaN), теллурид кадмия (CdTe), сульфид кадмия (CdS), арсенид индия (InAs), антимонид индия (InSb) и селенид цинка (ZnSe).
Стандартная производственная процедура создания диода Ганна включает выращивание эпитаксиального слоя на вырожденной подложке n+ с образованием трех полупроводниковых слоев n-типа, как показано на следующем рисунке слева, причем крайние слои сильно легированы по сравнению со средним активным слоем.